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Movimiento y calefacción en alto vacío y UHV

EC-I - In-line deposition stage

EC-I - Plataforma de deposición en-linea

Deposition stage parallel to flange
The EC-I series provides state-of-the-art performance for various growth and deposition techniques including MBE, sputtering and CVD. The EC-I offers continuous substrate rotation, high temperature and high uniformity heating, DC/RF biasing, and facilities for substrate transfer, while maintaining true UHV compatibility. The series includes models to accommodate SEMI standard wafers from 2" to 200 mm diameter. Special substrate cradles can be provided to accommodate specific substrate shapes and designs up to 200 mm diameter. The EC-I series benefits from the success of UHV Design’s unique hollow magnetic coupling technology using the CF38 mounted MagiLift drive. This single compact device provides magnetically-coupled substrate rotation and axial motion to lift and lower substrates for transfer.
The hollow drive technology facilitates the passing of services through the drive to a stationary wafer heating module in close proximity to the substrate, eliminating the need for vulnerable high current rotational connections. The MagiLift provides continuous rotation of the substrate cradle, which supports the substrate, for better temperature and layer uniformity. It further provides a pneumatically actuated 25mm lift and lower for substrate transfer.
The stationary heater module employs multiple refractory metal molybdenum heat shields to minimise heat loss, (Inconel and other materials available upon request), and a choice of either SiCg (SiC coated Graphite) or sSiC (solid SiC) heater elements, both of which are capable of heating wafers to 1200° C and operating within O2 rich environments.
The electrically-isolated substrate cradle can be biased with either DC or RF to facilitate sputter cleaning prior to deposition or for better control of deposition kinetics. ‘Faraday Dark Space Shielding’ is supplied as standard on all biased stages. This confines plasma to the substrate cradle region. UHV Design's proprietary substrate biasing technology provides unrivalled flicker-free performance, typically with zero maintenance and long operational life.
The deposition height adjustment facility allows the Z position of the substrate to be adjusted to optimise the distance from the deposition flux.
The stages can be mounted in any-orientation, although they are most commonly mounted vertically with the wafer facing up or down and parallel to the mounting flange. Other orientations can be accommodated with special wafer holders. Options are also available to configure EpiCentres for higher pressure and corrosive environments. The series has a full suite of options including choice of system mounting flanges, manual or pneumatic substrate shutters and thermocouple materials.
Specifications and models are available from the EC-I page on the UHV Design web-site.
La serie de EC-I proporciona un rendimiento puntero en varias tecnicas de crecimiento y deposicion incluyendo MBE (epitaxia de haces moleculares), pulverización catódica y CVD (deposición de vapor químico). El EC-I ofrece una rotación continua de sustrato, alta temperatura y alta uniformidad de calentador, polarización CC/RF y facilidad para la transferencia de sustratos, mientras que mantiene auténtica compatibilidad con ultra alto vacío. La serie incluye modelos que acomodan las obleas estándar SEMI desde 2 pulgadas hasta 200 mm de diámetro. Cunas de sustratos especiales se pueden suministrar para acomodar formas y diseños específicos de sustratos hasta 200 mm de diámetro. La serie EC-I se beneficia del éxito de la tecnología magnética hueca de enganche única de UHV Design, usando el manipulador MagiLift. Este aparato compacto proporciona un acoplado magnetizado con rotación de sustrato y movimiento axial para levantar y bajar sustratos para transferirlos.
La tecnología del manipulador hueco facilita el paso de servicios a través del manipulador a un módulo calentador de oblea estacionaria en proximidad al sustrato, eliminando la necesidad de las vulnerables conexiones rotativas de alta corriente. El MagiLift proporciona rotación continua de la cuna del sustrato, la cual sostiene al sustrato, para mejor uniformidad de capas y temperatura. Además proporciona una subida y bajada impulsada neumáticamente del sustrato para transferirlo.
El módulo calentador fijo con escudos refractores de calor de molibdeno. Para minimizar perdida de calor, (Inconel y otros materiales son disponibles bajo pedido), y elección de elementos de calentador de SiCg ( grafita revestida SiC ) o sSiC (SiC solido), ambos capaces de calentar obleas hasta 1200º C y operando dentro de los ámbitos de O2 rico.
La cuna de sustrato aislada eléctricamente puede tener polarización de tension con CC o RF para facilitar la limpieza de deposición por pulverización catódica anterior a deposición or para mayor control de deposición. ‘Faraday Dark Space Shielding’ puede suministrarse como estándar en todas las plataformas con polarización. Esto mantiene el plasma a la región de la cuna de sustrato. La tecnología de UHV Design de polarización de sustrato proporciona un rendimiento sin parpadeo único, normalmente con mantenimiento cero y larga vida operativa.
La instalación de ajuste de la altura de deposición permite la posición Z del sustrato que se ajuste para optimizar la distancia desde el flujo de deposición.
Las plataformas pueden ser montadas en cualquier dirección, aunque se montan normalmente de forma vertical con la oblea hacia arriba o abajo y paralela a la brida de montaje. Otras direcciones se pueden conseguir con recipientes para obleas especiales. También hay opciones disponibles para configurar EpiCentres para alta presión y ambientes corrosivos. Las series cuentan con gran número de opciones incluyendo elección de bridas de montaje, obturadores de sustrato manuales o neumáticos y materiales de termopar.
Las especificaciones y modeles están disponibles en la pagina EC-I en el sitio web de UHV Design.
Features
  • Substrate heating to 1200°C
  • Continuous substrate rotation
  • Homing for automatic transfer alignment
  • Substrate lift/lower for transfer
  • DC/RF substrate biasing
  • Adjustable deposition height
  • SEMI standard 2" to 200mm Ø samples
Características
  • Calentamiento de sustrato hasta 1200º C
  • Rotación continua de sustrato
  • Localizado para la alineación de transferencia automática
  • Subida y bajada de sustrato por transferencia
  • Polarización de tensión de sustrato CC/RF
  • Altura ajustable de deposición
  • Muestras SEMI estándar Ø 2 pulgadas hasta 200 mm
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